Texas Instruments
INA848IDR
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 8 V、压摆率（SR） 45 V/us、共模抑制比（CMRR） 150 dB、输入偏置电流（Ib） 25 nA，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
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- Texas Instruments
- 产品类别
- Instrumentation Amplifiers
- 产品系列
- INA848
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
13 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 压摆率（SR）
- 45 V/us
- 共模抑制比（CMRR）
- 150 dB
- 输入偏置电流（Ib）
- 25 nA
- 输入失调电压（Vos）
- 10 uV
- 电源电压范围
- 8～36 V
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 增益误差
- 0.05 %
- 电压增益（V/V）
- 2000 V/V
- 输入失调电流（Ios）
- 2 nA
- 湿敏性
- 是
- 产品
- Instrumentation Amplifiers
展开更多参数（1 项）
- 电源抑制比（PSRR）
- 150 dB
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。