Nexperia
PBSM5240PF,115
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 660 mA、漏源导通电阻（Rds On） 370 mOhms、栅源电压（Vgs） 8 V，采用 DFN-2020-6 封装。
基本资料
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- Nexperia
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- DFN-2020-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 30 V
- 连续漏极电流（Id）
- 660 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 370 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- 8 V
- 栅极电荷（Qg）
- 890 pC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1.1 W
- 产品
- MOSFET Small Signal
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。