Broadcom
ACNT-H511-000E
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Transistor、正向电流（If） 12 mA、隔离电压 7500 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V、耗散功率（Pd） 100 mW，采用 SO-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Broadcom Limited
- 品牌
- Broadcom
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SO-8
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 输出类型
- Transistor
- 通道数
- 1 个通道
- 正向电流（If）
- 12 mA
- 隔离电压
- 7500 Vrms
- 正向电压（Vf）
- 1.45 V
- 耗散功率（Pd）
- 100 mW
- 工作温度范围
- -40～105 °C
- 配置
- 1 个通道
- 电流传输比
- 50 %
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。