Central Semiconductor
1N5259B TR PBFREE
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 39 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、测试电流 3.2 mA、原产国家或地区 美国，采用 DO-35 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 二极管
- 封装
- DO-35
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
5 项参数- 稳压电压（Vz）
- 39 V
- 耗散功率（Pd）
- 500 mW
- 最大反向漏电流（Ir）
- 100 nA
- 测试电流
- 3.2 mA
- 原产国家或地区
- 美国
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。