ChipSourceHub 美芯科技

Micron

MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR

主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND,采用 VBGA-132 封装。

基本资料

制造商
Micron Technology
品牌
Micron
产品类别
NAND Flash
产品系列
MT29F
封装
VBGA-132
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

9 项参数
存储容量
128 Gbit
接口类型
Parallel
存储组织结构
16 G x 8
定时类型
Asynchronous, Synchronous
数据总线宽度
8 位
电源电压范围
2.7~3.6 V
工作温度范围
0~70 °C
存储器类型
NAND
产品
NAND Flash

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技