ChipSourceHub 美芯科技

STMicroelectronics

BULD118D-1

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、集电极-基极电压(VCBO) 700 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、最大直流集电极电流 2 A,采用 TO-251-3 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
STMicroelectronics
产品类别
晶体管
产品系列
BULD118D
封装
TO-251-3
安装方式
通孔安装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

12 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
400 V
集电极-基极电压(VCBO)
700 V
发射极-基极电压(VEBO)
9 V
最大直流集电极电流
2 A
工作温度范围
-65~150 °C
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
宽度
2.4 mm
耗散功率(Pd)
20000 mW
单件重量
0.012102 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BULD118D-1 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技