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Nexperia

PBHV8540X,115

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、集电极-基极电压(VCBO) 500 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 SOT-89-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Nexperia
产品类别
晶体管
封装
SOT-89-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
技术
Si
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
400 V
集电极-基极电压(VCBO)
500 V
发射极-基极电压(VEBO)
6 V
集电极-发射极饱和电压
0.2 V
增益带宽积(fT)
30 MHz
最大工作温度
+ 150 C
最大直流电流增益(hFE)
200
连续集电极电流
0.5 A
耗散功率(Pd)
1.5 W
展开更多参数(2 项)
认证等级
AEC-Q101
单件重量
0.003880 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

PBHV8540X,115 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技