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NSS20200DMTTBG
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV、组装国家或地区 马来西亚，采用 WDFN6 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- NSS20200DM
- 封装
- WDFN6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
9 项参数- 技术
- Si
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 20 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 20 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 250 mV
- 组装国家或地区
- 马来西亚
- 晶圆制造国家或地区
- 马来西亚
- 原产国家或地区
- 马来西亚
- 最小直流电流增益（hfe）
- 220
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。