ROHM Semiconductor
BU4S11G2-TR
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～16 V、高电平输出电流 - 3.4 mA、低电平输出电流 3.4 mA、逻辑类型 2-Input NAND。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- Logic Gates
- 产品系列
- BU4S11G2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
19 项参数- 产品
- Single-Function Gate
- 逻辑功能
- NAND
- 逻辑系列
- 4000
- 逻辑门数
- 1 Gate
- 输入线数
- 2 Input
- 输出线数
- 1 Output
- 高电平输出电流
- - 3.4 mA
- 低电平输出电流
- 3.4 mA
- 传播延迟时间
- 85 ns
- 电源电压范围
- 3～16 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 功能
- NAND
展开更多参数（7 项）
- 高度
- 1.1 mm
- 长度
- 2.9 mm
- 宽度
- 1.6 mm
- 逻辑类型
- 2-Input NAND
- 工作电源电压
- 3～16 V
- 型号别名
- BU4S11G2
- 单件重量
- 0.001058 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。