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Infineon Technologies

BGA9H1MN9E6329XTSA1

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.8 V、工作频率 1.4~2.7 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 5.8 mA,采用 TSNP-9-2 封装。

基本资料

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制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
RF Amplifier
封装
TSNP-9-2
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带

技术参数

13 项参数
工作频率
1.4~2.7 GHz
工作电源电压
1.8 V
工作电源电流
5.8 mA
增益
20.2 dB
噪声系数(NF)
11.5 dB
类型
Low Noise Amplifiers
技术
Si
1 dB 压缩点(P1dB)
- 17 dBm
原产国家或地区
马来西亚
输入回波损耗
18 dB
通道数
1 个通道
耗散功率(Pd)
70 mW
展开更多参数(1 项)
型号别名
BGA 9H1MN9 E6329 SP005412991

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BGA9H1MN9E6329XTSA1 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技