Apex Microtechnology
SA111PQ
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 650 V、25°C 时连续集电极电流 24 A、原产国家或地区 美国，采用 QFP-52 封装。
基本资料
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- Apex Microtechnology
- 产品类别
- Intelligent Power Modules - IPMs
- 产品系列
- SA111
- 封装
- QFP-52
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
9 项参数- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 650 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 650 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 24 A
- 原产国家或地区
- 美国
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 湿敏性
- 是
- 耗散功率（Pd）
- 56 W
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 类型
- Half-Bridge
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。