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ON Semiconductor / Fairchild

PZT3906_F081

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 40 V、集电极-基极电压(VCBO) - 40 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、增益带宽积(fT) 250 MHz、最小工作温度 - 55 C,采用 SOT-223-4 封装。

基本资料

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制造商
ON Semiconductor
品牌
ON Semiconductor / Fairchild
产品类别
晶体管
封装
SOT-223-4
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

10 项参数
晶体管极性
PNP
最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 40 V
集电极-基极电压(VCBO)
- 40 V
发射极-基极电压(VEBO)
- 5 V
增益带宽积(fT)
250 MHz
工作温度范围
-55~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
300 mA
连续集电极电流
- 200 mA
耗散功率(Pd)
1000 mW
单件重量
0.003951 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

PZT3906_F081 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技