ChipSourceHub 美芯科技

Qorvo

QPD1016L

该型号为氮化镓场效应晶体管,主要参数包括最大工作频率 1.7 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管极性 P-Channel、连续漏极电流(Id) 1 A、耗散功率(Pd) 714 W,采用 NI-780 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
Qorvo
产品类别
氮化镓场效应晶体管
产品系列
QPD1016L
封装
NI-780
安装方式
Screw Mount
包装方式
Waffle

技术参数

11 项参数
晶体管极性
P-Channel
连续漏极电流(Id)
1 A
耗散功率(Pd)
714 W
原产国家或地区
美国
增益
18 dB
最大漏栅电压
50 V
最大工作频率
1.7 GHz
最小工作频率
0 Hz
湿敏性
是
输出功率
537 W
技术
氮化镓(GaN)

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

QPD1016L 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技