ON Semiconductor
NJVMJB45H11T4G
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1 V，采用 D2PAK-3 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MJB45H11
- 封装
- D2PAK-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 80 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- - 1 V
- 最大直流集电极电流
- - 20 A
- 增益带宽积（fT）
- 40 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 连续集电极电流
- - 10 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 60 at - 2 A, - 1 V
- 耗散功率（Pd）
- 50 W
展开更多参数（1 项）
- 认证等级
- AEC-Q101
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。