Panasonic
PGA26E07BA
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓（GaN）、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 26 A、漏源导通电阻（Rds On） 70 mOhms、栅极电荷（Qg） 5 nC，采用 DFN-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Panasonic
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- PGA26E07BA
- 封装
- DFN-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 600 V
- 连续漏极电流（Id）
- 26 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 70 mOhms
- 栅极电荷（Qg）
- 5 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 96 W
- 配置
- Single
- 商品名称
- X-GaN
- 湿敏性
- 是
- 型号别名
- PGA26E07BA2
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。