Microchip Technology
TC8020K6-G M937
主要参数包括通道数 12 个通道、技术 Si、晶体管类型 6 N-Channel, 6 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V、连续漏极电流（Id） 3.2 A，采用 QFN-56 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- TC8020
- 封装
- QFN-56
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 12 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel, P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 200 V
- 连续漏极电流（Id）
- 3.2 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 6 Ω
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 通道模式
- Enhancement
- 晶体管类型
- 6 N-Channel, 6 P-Channel
- 下降时间
- 15 ns
- 上升时间
- 15 ns
- 典型关断延迟时间
- 20 ns
展开更多参数（2 项）
- 典型导通延迟时间
- 10 ns
- 单件重量
- 0.006751 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。