Microchip Technology
APTM50H15FT1G
主要参数包括技术 Si、类型 Full Bridge、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 25 A、漏源导通电阻（Rds On） 130 mOhms、栅源电压（Vgs） - 30 V, + 30 V，采用 SP1-12 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 封装
- SP1-12
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 管装
技术参数
16 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 连续漏极电流（Id）
- 25 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 130 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 30 V, + 30 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3 V
- 工作温度范围
- -40～100 °C
- 耗散功率（Pd）
- 208 W
- 配置
- Quad
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 下降时间
- 26 ns
- 上升时间
- 35 ns
展开更多参数（4 项）
- 类型
- Full Bridge
- 典型关断延迟时间
- 80 ns
- 典型导通延迟时间
- 29 ns
- 单件重量
- 2.821917 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。