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Vishay Semiconductors

VS-GT90DA120U

主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 2.17 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 169 A。

基本资料

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制造商
Vishay
品牌
Vishay Semiconductors
产品类别
IGBTs
安装方式
Screw Mount
包装方式
管装

技术参数

9 项参数
技术
Si
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
1.2 kV
集电极-发射极饱和电压
2.17 V
最大栅射电压
- 20 V, 20 V
25°C 时连续集电极电流
169 A
耗散功率(Pd)
781 W
工作温度范围
-40~150 °C
原产国家或地区
菲律宾

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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