Infineon Technologies
BFQ 19S H6327
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、增益带宽积（fT） 5.5 GHz，采用 SOT-89-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BFQ19
- 封装
- SOT-89-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 15 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 20 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 3 V
- 增益带宽积（fT）
- 5.5 GHz
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 140
- 连续集电极电流
- 120 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 70
- 耗散功率（Pd）
- 1 W
- 型号别名
- BFQ19SH6327XTSA1 SP001125294
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.000353 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。