ON Semiconductor / Fairchild
FODM8801BR2V
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 75 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 Miniflat-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- FODM8801B
- 封装
- Miniflat-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 输出类型
- Phototransistor
- 通道数
- 1 个通道
- 正向电流（If）
- 1 mA
- 最大集电极－发射极电压
- 75 V
- 最大集电极电流
- 30 mA
- 隔离电压
- 3750 Vrms
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 0.4 V
- 正向电压（Vf）
- 1.8 V
- 反向电压（Vr）
- 6 V
- 耗散功率（Pd）
- 150 mW
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 配置
- 1 个通道
展开更多参数（5 项）
- 集电极－发射极击穿电压
- 130 V
- 电流传输比
- 120 %
- 下降时间
- 5.5 us
- 上升时间
- 5 us
- 单件重量
- 0.004233 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。