Micron
MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A TR
主要参数包括存储容量 2 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 G x 8，采用 VBGA-132 封装。
基本资料
- 制造商
- Micron Technology
- 品牌
- Micron
- 产品类别
- NAND Flash
- 产品系列
- MT29F
- 封装
- VBGA-132
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
8 项参数- 存储容量
- 2 Tbit
- 接口类型
- Parallel
- 存储组织结构
- 256 G x 8
- 定时类型
- Asynchronous
- 数据总线宽度
- 8 位
- 电源电压范围
- 2.5～3.6 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 湿敏性
- 是
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。