SemiQ
GCMX010A120B2B1P
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 214 A、漏源导通电阻（Rds On） 9 mOhms。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- SemiQ
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- GCMX
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
14 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 214 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 9 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 5 V, + 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.8 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 原产国家或地区
- 中国
- 下降时间
- 22 ns
- 上升时间
- 13 ns
- 类型
- Half-Bridge
展开更多参数（2 项）
- 典型关断延迟时间
- 75 ns
- 典型导通延迟时间
- 40 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。