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Central Semiconductor

BC846BR TR

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 65 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、集电极-发射极饱和电压 0.6 V、增益带宽积(fT) 100 MHz,采用 SOT-23 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Central Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
BC846BR
封装
SOT-23
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

9 项参数
技术
Si
晶体管极性
NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO)
65 V
集电极-基极电压(VCBO)
80 V
集电极-发射极饱和电压
0.6 V
增益带宽积(fT)
100 MHz
最大直流电流增益(hFE)
450
最小直流电流增益(hfe)
200
型号别名
BC846BR PBFREE TR

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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