Vishay Semiconductors
CNY64
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 32 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 8200 Vrms，采用 DIP-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- CNY
- 封装
- DIP-4
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
21 项参数- 输出类型
- NPN Phototransistor
- 通道数
- 1 个通道
- 正向电流（If）
- 50 mA
- 最大集电极－发射极电压
- 32 V
- 最大集电极电流
- 50 mA
- 隔离电压
- 8200 Vrms
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 0.3 V
- 正向电压（Vf）
- 1.6 V
- 反向电压（Vr）
- 5 V
- 耗散功率（Pd）
- 250 mW
- 工作温度范围
- -55～85 °C
- 配置
- 1 个通道
展开更多参数（9 项）
- 描述与功能
- Optocoupler, Phototransistor Output, Very High Isolation Voltage
- 高度
- 6 mm
- 长度
- 12.8 mm
- 宽度
- 7.2 mm
- 集电极－发射极击穿电压
- 32 V
- 电流传输比
- 50 % to 300 %
- 下降时间
- 2.7 us
- 上升时间
- 2.4 us
- 单件重量
- 0.044198 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。