ChipSourceHub 美芯科技

Central Semiconductor

2N2405

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 90 V、集电极-基极电压(VCBO) 120 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V、集电极-发射极饱和电压 500 mV,采用 TO-39-3 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
Central Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
2N2405
封装
TO-39-3
安装方式
通孔安装
包装方式
散装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

15 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
90 V
集电极-基极电压(VCBO)
120 V
发射极-基极电压(VEBO)
7 V
集电极-发射极饱和电压
500 mV
最大直流集电极电流
150 mA
增益带宽积(fT)
50 MHz
最大直流电流增益(hFE)
200
高度
6.6 mm
长度
9.4 mm
宽度
9.4 mm
展开更多参数(3 项)
最小直流电流增益(hfe)
60
型号别名
2N2405 PBFREE
单件重量
0.035486 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

2N2405 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技