Texas Instruments
TPS1101DR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 PMOS Switches、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 15 V，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- TPS1101
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
22 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 15 V
- 连续漏极电流（Id）
- 2.3 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 90 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- 2 V, - 15 V
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 耗散功率（Pd）
- 791 mW
- 配置
- Single
- 通道模式
- Enhancement
- 高度
- 1.75 mm
展开更多参数（10 项）
- 长度
- 4.9 mm
- 产品
- MOSFET Small Signal
- 晶体管类型
- 1 P-Channel
- 类型
- PMOS Switches
- 宽度
- 3.9 mm
- 下降时间
- 5.5 ns
- 上升时间
- 5.5 ns
- 典型关断延迟时间
- 19 ns
- 典型导通延迟时间
- 6.5 ns
- 单件重量
- 0.002677 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。