ChipSourceHub 美芯科技

ON Semiconductor / Fairchild

BC638TA

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 60 V、集电极-基极电压(VCBO) - 60 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、集电极-发射极饱和电压 - 0.5 V,采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
制造商
ON Semiconductor
品牌
ON Semiconductor / Fairchild
产品类别
晶体管
产品系列
BC638
封装
TO-92-3 Kinked Lead
安装方式
通孔安装
包装方式
Ammo Pack
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

17 项参数
晶体管极性
PNP
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 60 V
集电极-基极电压(VCBO)
- 60 V
发射极-基极电压(VEBO)
- 5 V
集电极-发射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流集电极电流
1 A
增益带宽积(fT)
100 MHz
工作温度范围
-65~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
160
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
展开更多参数(5 项)
宽度
3.93 mm
连续集电极电流
- 1 A
最小直流电流增益(hfe)
40
耗散功率(Pd)
1 W
单件重量
0.008466 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BC638TA 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技