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ROHM Semiconductor

FMA11AT148

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 50 V。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
FMA11A
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
配置
Dual Common Emitter
晶体管极性
PNP
典型输入电阻
4.7 kOhms
典型电阻比
0.1
最小直流电流增益(hfe)
80
最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 50 V
连续集电极电流
- 100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
耗散功率(Pd)
300 mW
工作温度范围
-55~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
80
高度
1.1 mm
展开更多参数(2 项)
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

FMA11AT148 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技