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MACOM

CG2H40120F

该型号为氮化镓场效应晶体管,主要参数包括最大工作频率 4 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 美国。

基本资料

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品牌 / 制造商
MACOM
产品类别
氮化镓场效应晶体管
安装方式
Screw Mount
包装方式
托盘

技术参数

7 项参数
晶体管极性
N-Channel
原产国家或地区
美国
最大工作频率
4 GHz
最小工作频率
0 Hz
输出功率
120 W
技术
氮化镓(GaN)
晶体管类型
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

CG2H40120F 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技