ROHM Semiconductor
2SB1132T100P
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 32 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.2 V，采用 MPT-3 封装。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2SB1132
- 封装
- MPT-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 80 V
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 32 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- - 40 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- - 0.2 V
- 最大直流集电极电流
- - 1 A
- 增益带宽积（fT）
- 150 MHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 390
- 高度
- 1.5 mm
- 长度
- 4.5 mm
展开更多参数（4 项）
- 宽度
- 2.5 mm
- 连续集电极电流
- - 1 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 120
- 耗散功率（Pd）
- 2 W
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。