Diotec Semiconductor
DI2579N
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SOT-223 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diotec Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-223
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大直流集电极电流
- 1 A
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 700 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 9 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1 V
- 耗散功率（Pd）
- 1.25 W
- 增益带宽积（fT）
- 0 Hz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 原产国家或地区
- 中国
- 最大直流电流增益（hFE）
- 20
- 湿敏性
- 是
展开更多参数（2 项）
- 商品名称
- DI2579N
- 单件重量
- 0.007055 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。