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SemiQ

GHXS030A120S-D1E

该型号为二极管,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、反向电压(Vr) 1.2 kV、正向电流(If) 30 A、正向电压(Vf) 2.05 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C,采用 SOT-227-4 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
SemiQ
产品类别
二极管
封装
SOT-227-4
安装方式
Screw Mount
包装方式
管装

技术参数

7 项参数
反向电压(Vr)
1.2 kV
正向电流(If)
30 A
正向电压(Vf)
2.05 V
工作温度范围
-55~175 °C
原产国家或地区
菲律宾
产品
SiC Schottky Diode Modules
技术
碳化硅(SiC)

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

GHXS030A120S-D1E 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技