Central Semiconductor
2N3108 PBFREE
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大直流集电极电流
- 1 A
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 60 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 100 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 7 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1 V
- 耗散功率（Pd）
- 800 mW
- 增益带宽积（fT）
- 60 MHz
- 工作温度范围
- -65～200 °C
- 原产国家或地区
- IN
- 单件重量
- 0.035486 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。