onsemi
NSBA123YMXWTBG
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 200 mV, 4.9 V、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 35 at - 5 mA, - 10 V，采用 DFN-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- NSBAMXW
- 封装
- DFN-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
11 项参数- 配置
- Single
- 晶体管极性
- PNP
- 典型输入电阻
- 2.2 kOhms
- 典型电阻比
- 0.22
- 最小直流电流增益（hfe）
- 35 at - 5 mA, - 10 V
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 450 mW
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 原产国家或地区
- 马来西亚
- 输出电压
- 200 mV, 4.9 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。