Adesto Technologies
RM3316-XSNI-B
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 1.98 V、电源电压（最小值） 1.17 V、类型 CBRAM、数据总线宽度 32 位，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Adesto Technologies
- 产品类别
- DRAM
- 产品系列
- RM331x
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 类型
- CBRAM
- 数据总线宽度
- 32 位
- 存储组织结构
- 8 k x 32
- 存储容量
- 256 kbit
- 最大时钟频率
- 1 MHz
- 电源电压范围
- 1.17～1.98 V
- 电源电流（最大值）
- 10 uA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 商品名称
- Moneta
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。