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SMMJT350T1G
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MMJT350T1
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
11 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大直流集电极电流
- 500 mA
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 300 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 300 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 耗散功率（Pd）
- 2.75 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 认证等级
- AEC-Q101
- 原产国家或地区
- 马来西亚
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。