onsemi
NCV8461DR2G
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5～34 V、电源电压（最大值） 34 V、电源电压（最小值） 5 V、输出电流 300 mA、类型 High Side、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- 集成电路
- 产品系列
- NCV8461
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
17 项参数- 类型
- High Side
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 300 mA
- 限流值
- 1.2 A
- 导通电阻（最大值）
- 700 mOhms
- 导通时间（最大值）
- 140 us
- 关断时间（最大值）
- 170 us
- 工作电源电压
- 5～34 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 认证等级
- AEC-Q100
- 组装国家或地区
- 菲律宾
- 原产国家或地区
- 菲律宾
展开更多参数（5 项）
- 湿敏性
- 是
- 耗散功率（Pd）
- 1.5 W
- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 电源电压范围
- 5～34 V
- 单件重量
- 0.019048 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。