ON Semiconductor
NV25010DWHFT3G
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- EEPROM
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 存储容量
- 1 kbit
- 存储组织结构
- 128 x 8
- 接口类型
- SPI
- 数据保持时间
- 200 Year
- 最大时钟频率
- 10 MHz
- 电源电流（最大值）
- 3 mA
- 电源电压范围
- 2.5～5.5 V
- 工作温度范围
- -40～105 °C
- 认证等级
- AEC-Q101
- 工作电源电流
- 3 mA
- 工作电源电压
- 2.5～5.5 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。