ROHM Semiconductor
EMH4T2R
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 EMT-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- EMH4
- 封装
- EMT-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 配置
- Dual
- 晶体管极性
- NPN
- 典型输入电阻
- 10 kOhms
- 最小直流电流增益（hfe）
- 100
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 峰值直流集电极电流
- 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 150 mW
- 最大工作温度
- + 150 C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 600
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 高度
- 0.5 mm
展开更多参数（3 项）
- 长度
- 1.6 mm
- 宽度
- 1.2 mm
- 型号别名
- EMH4
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。