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Diodes Incorporated

ZX5T851ASTZ

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 150 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V、最大直流集电极电流 4.5 A,采用 E-Line-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管
产品系列
ZX5T851
封装
E-Line-3
安装方式
通孔安装
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

13 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
60 V
集电极-基极电压(VCBO)
150 V
发射极-基极电压(VEBO)
7 V
最大直流集电极电流
4.5 A
增益带宽积(fT)
130 MHz
工作温度范围
-55~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
100 at 10 mA, 1 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
展开更多参数(1 项)
耗散功率(Pd)
1000 mW

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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