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Diodes Incorporated

FMMT591AQTA

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 40 V、集电极-基极电压(VCBO) - 40 V、发射极-基极电压(VEBO) - 7 V、集电极-发射极饱和电压 - 200 mV,采用 SOT-23-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管
产品系列
FMMT591
封装
SOT-23-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
晶体管极性
PNP
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 40 V
集电极-基极电压(VCBO)
- 40 V
发射极-基极电压(VEBO)
- 7 V
集电极-发射极饱和电压
- 200 mV
最大直流集电极电流
- 1 A
增益带宽积(fT)
150 MHz
工作温度范围
-55~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
800 at - 100 mA, - 5 V
最小直流电流增益(hfe)
300 at - 100 mA, - 5 V
耗散功率(Pd)
500 mW
展开更多参数(2 项)
认证等级
AEC-Q101
单件重量
0.000282 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

FMMT591AQTA 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技