onsemi
MMBTH10LT1G
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 SOT-23-3 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MMBTH10L
- 封装
- SOT-23-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 25 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 30 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 3 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 500 mV
- 耗散功率（Pd）
- 225 mW
- 增益带宽积（fT）
- 650 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 原产国家或地区
- 中国
- 最小直流电流增益（hfe）
- 60
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- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。