ROHM Semiconductor
SP8M4TB
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 9 A, 7 A，采用 SOP-8 封装。
基本资料
- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- SOP-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 2 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel, P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 30 V
- 连续漏极电流（Id）
- 9 A, 7 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 18 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 2 W
- 配置
- Dual
- 通道模式
- Enhancement
- 高度
- 1.5 mm
展开更多参数（8 项）
- 长度
- 5 mm
- 晶体管类型
- 1 N-Channel, 1 P-Channel
- 宽度
- 4.4 mm
- 下降时间
- 22 ns, 70 ns
- 上升时间
- 15 ns, 50 ns
- 典型关断延迟时间
- 55 ns, 110 ns
- 典型导通延迟时间
- 10 ns, 20 ns
- 单件重量
- 0.030018 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。