ON Semiconductor
BC807-40WT1G
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 500 mA、连续集电极电流 - 500 mA、耗散功率（Pd） 460 mW，采用 SC-70-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BC807-40W
- 封装
- SC-70-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
7 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 45 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 5 V
- 最大直流集电极电流
- - 500 mA
- 连续集电极电流
- - 500 mA
- 耗散功率（Pd）
- 460 mW
- 单件重量
- 0.000988 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。