Taiwan Semiconductor
TPC817S1D RAG
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOP-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Taiwan Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOP-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 输出类型
- Phototransistor
- 通道数
- 1 个通道
- 正向电流（If）
- 50 mA
- 最大集电极－发射极电压
- 80 V
- 最大集电极电流
- 50 mA
- 隔离电压
- 5000 Vrms
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 0.1 V
- 正向电压（Vf）
- 1.2 V
- 反向电压（Vr）
- 6 V
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 工作温度范围
- -40～100 °C
- 配置
- 1 个通道
展开更多参数（3 项）
- 电流传输比
- 300 % to 600 %
- 下降时间
- 3 us
- 上升时间
- 4 us
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。