ON Semiconductor / Fairchild
FDME1034CZT
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 3.4 A，采用 UMLP-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- FDME1034CZT
- 封装
- UMLP-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
23 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 2 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel, P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 20 V
- 连续漏极电流（Id）
- 3.4 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 66 mOhms, 142 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 700 mV, 600 mV
- 栅源电压（Vgs）
- 8 V
- 栅极电荷（Qg）
- 3 nC, 5.5 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1.3 W
- 配置
- Dual
展开更多参数（11 项）
- 商品名称
- PowerTrench
- 高度
- 0.55 mm
- 长度
- 1.6 mm
- 晶体管类型
- 1 N-Channel, 1 P-Channel
- 宽度
- 1.6 mm
- 正向跨导（最小值）
- 9 S, 7 S
- 下降时间
- 1.7 ns, 16 ns
- 上升时间
- 2 ns, 4.8 ns
- 典型关断延迟时间
- 15 ns, 33 ns
- 典型导通延迟时间
- 4.5 ns, 4.7 ns
- 单件重量
- 0.000889 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。