ROHM Semiconductor
2SC5876U3HZGT106Q
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 150 mV，采用 SOT-323-3 封装。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-323-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 60 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 60 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 150 mV
- 最大直流集电极电流
- 1 A
- 增益带宽积（fT）
- 300 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 390
- 连续集电极电流
- 500 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 120
展开更多参数（1 项）
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。