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Diodes Incorporated

DDTA114YLP-7

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 DFN-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管
产品系列
DDTA114
封装
DFN-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带

技术参数

13 项参数
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻
10 kOhms
典型电阻比
0.21
最小直流电流增益(hfe)
80
最大集电极-发射极电压(VCEO)
50 V
连续集电极电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
工作温度范围
-55~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
80
高度
0.47 mm
长度
1 mm
展开更多参数(1 项)
宽度
0.6 mm

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

DDTA114YLP-7 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技