Central Semiconductor
MPQ6002
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 1.4 V,采用 TO-116 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MPQ6
- 封装
- TO-116
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合(来源记录)
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- NPN, PNP
- 配置
- Quad
- 最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 30 V
- 集电极-基极电压(VCBO)
- 60 V
- 发射极-基极电压(VEBO)
- 5 V
- 集电极-发射极饱和电压
- 1.4 V
- 最大直流集电极电流
- 500 mA
- 增益带宽积(fT)
- 200 MHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 高度
- 0.6 mm
- 长度
- 19.3 mm
- 宽度
- 6.6 mm
展开更多参数(3 项)
- 最小直流电流增益(hfe)
- 30 at 1 mA, 10 V
- 型号别名
- MPQ6002 PBFREE
- 单件重量
- 0.014110 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。
