Vishay Semiconductors
VS-GT180DA120U
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 IGBT Module、产品 Diode Power Modules、正向电压（Vf） 3 V、最大工作温度 + 150 C、配置 Single、晶体管极性 N-Channel，采用 SOT-227-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- 半导体器件
- 封装
- SOT-227-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 产品
- Diode Power Modules
- 类型
- IGBT Module
- 正向电压（Vf）
- 3 V
- 最大工作温度
- + 150 C
- 配置
- Single
- 晶体管极性
- N-Channel
- 下降时间
- 137 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 100 A
- 耗散功率（Pd）
- 1087 W
- 上升时间
- 59 ns
- 典型关断延迟时间
- 334 ns
- 典型导通延迟时间
- 192 ns
展开更多参数（1 项）
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.8 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。